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　　2026年4月9日，AI芯片創(chuàng)新企業(yè)星元晶算發(fā)布面向2030年的1nm芯片技術(shù)路線圖。

　　公司提出“以架構(gòu)代制程”的核心策略：不單純依賴光刻微縮，而是通過(guò)堆疊、光直連、二維材料層嵌入、全異質(zhì)集成等多種工程方法的組合，在現(xiàn)有工藝基礎(chǔ)上實(shí)現(xiàn)先進(jìn)異構(gòu)集成高能效算力性能。公司已在成熟制程節(jié)點(diǎn)上完成早期異構(gòu)集成方案的驗(yàn)證與功能原型開(kāi)發(fā)。

　　星元晶算遠(yuǎn)期目標(biāo)為2030年代實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)10太瓦級(jí)等效算力，約為馬斯克Terafab計(jì)劃的10倍。

　　換道超車(chē)：不賭單一技術(shù)，組合工程方法解決1nm難題

　　1nm節(jié)點(diǎn)面臨的不僅是光刻精度問(wèn)題，還包括散熱、量子隧穿、材料特性、環(huán)境控制、良率、EDA工具等多重物理與工程瓶頸。沒(méi)有任何一家企業(yè)能在每個(gè)環(huán)節(jié)都實(shí)現(xiàn)自主突破。星元晶算的選擇是：以架構(gòu)代制程——不盲目追求單一工藝節(jié)點(diǎn)的數(shù)字縮小，而是通過(guò)多種工程方法的協(xié)同組合，在可落地的技術(shù)邊界內(nèi)實(shí)現(xiàn)先進(jìn)異構(gòu)集成高能效算力性能。

　　公司規(guī)劃了兩條并行的技術(shù)路徑：短期依托二維半導(dǎo)體材料的前沿成果，快速啟動(dòng)工程化驗(yàn)證；長(zhǎng)期依托堆疊、光直連、二維材料層嵌入、全異質(zhì)集成等方向，以預(yù)研和內(nèi)部驗(yàn)證方式穩(wěn)步推進(jìn)。兩條路線共享基礎(chǔ)研究成果，互為備份。

　　架構(gòu)演進(jìn)：從FinFET到CFET，再到“架構(gòu)組合”的系統(tǒng)工程

　　先進(jìn)算力芯片的底層邏輯并非單純縮小線寬，而是持續(xù)提升單位面積的算力性能。

　　傳統(tǒng)硅基路線從FinFET到GAA再到CFET已是業(yè)界共識(shí)。星元晶算認(rèn)同：在1nm及以下節(jié)點(diǎn)，硅基材料面臨物理極限，二維半導(dǎo)體是材料方向上的必然選擇。但材料突破需要與架構(gòu)創(chuàng)新配合——公司提出的“以架構(gòu)代制程”，正是將二維材料與3D堆疊、光直連、層間嵌入、異質(zhì)集成等工程方法深度耦合，用系統(tǒng)級(jí)設(shè)計(jì)彌補(bǔ)單點(diǎn)工藝的不足。

　　基于這一判斷，星元晶算規(guī)劃了清晰的演進(jìn)路徑：近期在二維材料路線上啟動(dòng)工程化驗(yàn)證，探索基于亞1nm原型器件的專(zhuān)用芯片；中期引入MoS?、石墨烯等二維材料，結(jié)合GAA及CFET架構(gòu)開(kāi)發(fā)1nm級(jí)原型器件，并同步驗(yàn)證堆疊、光直連等工程方法的可行性；遠(yuǎn)期目標(biāo)是實(shí)現(xiàn)全二維半導(dǎo)體3D堆疊芯片，并完成全異質(zhì)集成方案的系統(tǒng)級(jí)閉環(huán)，最終支撐10太瓦級(jí)算力的規(guī)?；渴?。

　　關(guān)鍵里程碑：分階段穩(wěn)步推進(jìn)，工程方法逐項(xiàng)閉環(huán)

　　公司強(qiáng)調(diào)，節(jié)點(diǎn)演進(jìn)的核心邏輯并非單純追求數(shù)字縮小，而是在可接受的成本與良率范圍內(nèi)，通過(guò)架構(gòu)組合持續(xù)提升算力性能。公司以材料與工程方法為雙起點(diǎn)，分階段逐級(jí)突破。

　　第一階段：完成二維半導(dǎo)體材料的基礎(chǔ)工程化驗(yàn)證，結(jié)合成熟工藝節(jié)點(diǎn)，進(jìn)行架構(gòu)原型設(shè)計(jì)，同時(shí)啟動(dòng)堆疊、光直連等方向的實(shí)驗(yàn)室預(yù)研。

　　第二階段：系統(tǒng)開(kāi)展基于二維半導(dǎo)體的晶體管工藝研究，結(jié)合學(xué)術(shù)界已有公開(kāi)成果，優(yōu)先完成實(shí)驗(yàn)室級(jí)器件驗(yàn)證，并嘗試小規(guī)模工程化流片。此階段將同步驗(yàn)證層嵌入、異質(zhì)集成等工程方法的可行性。

　　第三階段：聯(lián)合產(chǎn)業(yè)伙伴啟動(dòng)專(zhuān)用中試線規(guī)劃與建設(shè)，目標(biāo)實(shí)現(xiàn)從二維半導(dǎo)體材料到晶圓制造的全鏈條自主可控。重點(diǎn)是將前期驗(yàn)證的堆疊、光直連、層嵌入、全異質(zhì)集成等工程方法集成到同一套工藝平臺(tái)中，形成可重復(fù)的“架構(gòu)代制程”方案。

　　第四階段：基于組合工程方法的成熟方案，實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)10太瓦級(jí)AI算力芯片。同時(shí)探索空間算力節(jié)點(diǎn)部署可行性——通過(guò)算法糾錯(cuò)與架構(gòu)冗余設(shè)計(jì)，保障極端環(huán)境下的長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行。

　　公司表示，上述里程碑為面向2030年的長(zhǎng)期技術(shù)布局，各階段節(jié)點(diǎn)均為預(yù)測(cè)性目標(biāo)，實(shí)際進(jìn)度將根據(jù)技術(shù)突破動(dòng)態(tài)調(diào)整，優(yōu)先選擇貼近現(xiàn)有技術(shù)基礎(chǔ)的方案進(jìn)行落地。

　　產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同：開(kāi)放匯聚前沿學(xué)術(shù)力量，聚焦工程方法落地

　　先進(jìn)制程芯片的研發(fā)涉及材料、器件、封裝、架構(gòu)、軟件等多個(gè)維度，單一企業(yè)無(wú)法包攬所有環(huán)節(jié)。星元晶算的策略是：聯(lián)合產(chǎn)業(yè)鏈伙伴，將學(xué)術(shù)界的前沿突破轉(zhuǎn)化為可工程化的技術(shù)模塊，再通過(guò)架構(gòu)組合形成系統(tǒng)級(jí)解決方案。

　　在二維半導(dǎo)體領(lǐng)域，公司已與多家國(guó)內(nèi)外頂尖學(xué)術(shù)團(tuán)隊(duì)建立溝通，探討聯(lián)合研發(fā)、技術(shù)許可或顧問(wèn)聘任等合作模式。學(xué)術(shù)界在超短溝道器件、晶圓級(jí)材料均勻生長(zhǎng)、柔性存算一體芯片等方面的突破，為公司提供了關(guān)鍵技術(shù)參照。同時(shí)，公司在堆疊、光直連、異質(zhì)集成等工程方向上，積極與封裝廠、設(shè)備商、EDA工具商合作，確保每一項(xiàng)工程方法都有明確的產(chǎn)業(yè)化落地路徑。

　　公司堅(jiān)持全鏈條協(xié)同，聯(lián)合產(chǎn)業(yè)鏈伙伴共建工藝研發(fā)平臺(tái)，并發(fā)起開(kāi)放創(chuàng)新合作網(wǎng)絡(luò)，將合作生態(tài)延伸至EDA、IP及高?？蒲袡C(jī)構(gòu)。

　　長(zhǎng)期主義：一步一個(gè)腳印，以架構(gòu)代制程夯實(shí)技術(shù)根基

　　星元晶算負(fù)責(zé)人指出，上述規(guī)劃為面向2030年的長(zhǎng)期技術(shù)布局。“以架構(gòu)代制程”的策略，既避免了陷入“單點(diǎn)突破”的幻想，也確保了每一項(xiàng)工程方法都能在現(xiàn)有技術(shù)基礎(chǔ)上快速閉環(huán)。公司將以長(zhǎng)期主義心態(tài)，持續(xù)投入AI算力基礎(chǔ)設(shè)施的研發(fā)與生態(tài)建設(shè)，不急于求成、不盲目追新，穩(wěn)步夯實(shí)技術(shù)根基。

　　“1nm節(jié)點(diǎn)面臨的挑戰(zhàn)遠(yuǎn)不止光刻機(jī)——散熱、量子隧穿、材料、良率、EDA……每個(gè)環(huán)節(jié)都是硬骨頭。”該負(fù)責(zé)人表示，“我們的策略是在努力開(kāi)展技術(shù)攻堅(jiān)的同時(shí)，通過(guò)系統(tǒng)級(jí)的架構(gòu)創(chuàng)新，將多種成熟與前沿技術(shù)有機(jī)組合，形成整體最優(yōu)的解決方案。目前，核心研發(fā)團(tuán)隊(duì)正加速組建，多位來(lái)自半導(dǎo)體制造、先進(jìn)封裝、芯片設(shè)計(jì)領(lǐng)域的資深專(zhuān)家已明確加入意向，與相關(guān)領(lǐng)域頂尖學(xué)術(shù)團(tuán)隊(duì)的合作洽談也在穩(wěn)步推進(jìn)。產(chǎn)業(yè)鏈上下游的生態(tài)力量正持續(xù)向公司匯聚。”